收藏本站
NTD4813N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
60
50
10 V
6V
5V
T J = 25 ° C
4.5 V
60
50
V DS ≥ 10 V
40
4V
40
30
3.8 V
30
20
10
3.6 V
20
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
3V
5
0
1
2
3
T J = --55 ° C
4
5
6
7
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On--Region Characteristics
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.030
0.029
0.028
0.027
0.026
0.025
0.024
0.023
0.022
0.021
0.020
0.019
0.018
0.017
0.016
0.015
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
I D = 30 A
T J = 25 ° C
4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10 10.5 11 11.5
0.042
0.037
0.032
0.027
0.022
0.017
0.012
0.007
0.002
10
T J = 25 ° C
15 20
25
V GS = 4.5 V
V GS = 11.5 V
30 35 40
45
50
55
60
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On--Resistance vs. Gate--to--Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On--Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
1000
100
T J = 125 ° C
0.8
0.7
0.6
--50 --25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
T J = 25 ° C
15 20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On--Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain--to--Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD4813NHT4G MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
NTD4815NHT4G MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
NTD4815NT4G MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
NTD4854NT4G MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
NTD4855NT4G MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
NTD4856NT4G MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
NTD4857NT4G MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
NTD4860NT4G MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD4813NH 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4813NH-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4813NH-35G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4813NHT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4813NT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4815N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4815N-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4815N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube